사용자가 Assembler나 C 언어를 기반으로 접근 가능한 ATmega8 칩의 메모리 구조입니다.
1) Program Memory
8 Kbyte의 비휘발성(Non-volatile) Flash Memory로 프로그램을 적재하거나 데이터를 저장하며 최대 10,000번까지 변경이 가능합니다.
* 이 영역에서는 boot 프로그램을 저장할 수 있는 공간이 따로 존재하는데 이는 직접 MCU 핀을 접속하여 프로그램 및 데이터를 변경할 수 없을 때 시리얼 통신 등으로 Flash Memory 내의 프로그램 및 데이터를 변경할 수 있게 해 줍니다.
참고: http://sharehobby.tistory.com/entry/%EB%B6%80%ED%8A%B8%EB%A1%9C%EB%8D%94%EB%9E%80
2) Data Memory
General Purpose Registers(GPRs) 그리고 I/O register와 같은 Special Function Registers(SFRs) 그리고 Internal SRAM, External SRAM 등으로 구성되며 External SRAM은 별도로 장착된 SRAM으로 MCUCR register를 설정해야 합니다. 여기서 SFRs는 사용자가 데이터를 저장하는 메모리가 아닙니다.
General Purpose Registers(GPRs) : 32개의 register를 가지고 있으며 CPU의 연산 결과를 메모리(SRAM, Flash Memory, EEPROM)에 옮기기 전에 임시로 저장하는 장소로 접근 속도가 가장 빠르며 Assembler 아닌 C 언어를 사용하는 경우 Compiler가 register를 자동으로 관리합니다.
Internal SRAM : 1Kbyte 내부 SRAM으로 프로그램 실행 중 변하는 변수의 값을 저장하는데 사용되며 전원이 끊기면 내용은 지워집니다(휘발성, volatile).
EEPROM : 512 byte의 비휘발성으로 프로그램 실행 중 변하는 변수의 값이 전원이 끊긴 이후에도 지속적으로 유지하는데 사용되며 최대 100,000번까지 변경이 가능하며 내장된 주변장치처럼 register를 통하므로 접근 속도는 느립니다.
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